注F+NMOSFET的电离辐照与退火特性

摘要：

比较了CC4007电路栅介质中注F'和未注F'的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F'的引入能明显降低器件的辐照敏感性,提高器件的可靠性能.表现为在同样辐照偏置下注F'器件比未注F'器件的阈电压漂移小,辐照后退火期间的界面态、氧化物电荷变化稳定.

关键词：辐照、注F’、NMOS、阈电压、退火、可靠性

所属期刊栏目：27

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：586-589