10.3321/j.issn:0253-3219.2004.07.002
界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响
用磁控溅射方法制备了一系列含NiO反铁磁层的Co/Cu/Co自旋阀结构.电磁输运测量表明,对相同Co/Cu/Co结构的自旋阀,NiO在自旋阀的顶部(TSV)和在自旋阀的底部(BSV)表现了不同的磁电阻值和热稳定特性.X射线镜面反射和横向漫散射测量证明小的界面粗糙度是导致磁电阻增大的主要原因,而Co与NiO层间的耦合减弱将导致MR减小,两者共同的作用决定了含NiO的自旋阀的磁电阻.我们由此设计实验将BSV自旋阀的磁电阻值提高近1倍,即达到~12%,而对称自旋阀的磁电阻则提高到15%.
NiO自旋阀、X射线镜面反射和散射、界面粗糙度
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O482.5(固体物理学)
国家自然科学基金10174030,90201039;国家重点基础研究发展计划973计划001CB610602
2004-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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