CdSe探测器的制备与性能
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10.3321/j.issn:0253-3219.2003.04.018

CdSe探测器的制备与性能

引用
通过测定CdSe室温核辐射探测器的伏安曲线和能谱特性,对探测器制作过程中的表面处理工艺进行了初步研究,结果表明通过适当的表面腐蚀和钝化处理,可以降低表面漏电流,减小探测器噪声,达到提高探测器能量分辨率的目的.

CdSe探测器、I-V曲线、γ射线能谱、能量分辨率

26

TN303;O57;O78(半导体技术)

教育部重点科研项目1998-121

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

325-328

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0253-3219

31-1342/TL

26

2003,26(4)

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