注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性

摘要：

本文研究了注氟(F)与未注F两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性及变化规律.结果显示:在MOSFET的栅场介质中适量注入F,能明显地抑制辐照感生氧化物电荷的积累和界面态密度的增长,减少漏电流及阈电压漂移,有助于改善CMOS运算放大器电路内部各单管的辐照敏感性,从而使运放电路的整体抗辐射能力得到显著提高.

关键词：注氟CMOS运算放大器、60Co γ辐照、氧化物电荷、界面态

所属期刊栏目：26

分类号：TN431.1;TN72(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：291-294