10.3321/j.issn:0253-3219.2003.02.008
感应耦合等离子体源制备硬质类金刚石膜的研究
采用感应耦合等离子体源(ICPS)成功地实现化学气相沉积硬质类金刚石(DLC)膜,并考察了基片负偏压对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响.薄膜的微观形貌、显微硬度、沉积速率以及结构成分分析表明感应耦合等离子体源适于制备硬质类金刚石膜,并且在相对较低的基片负偏压条件就可以获得高硬度的类金刚石膜.基片负偏压对类金刚石膜化学气相沉积过程和薄膜性质都有显著影响.
感应耦合等离子体源、类金刚石膜、基片负偏压
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O539(等离子体物理学)
国家自然科学基金50002002,19835030
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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