几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究

摘要：

本文给出了大规模集成电路CMOS4069、浮栅ROM器件在北京同步辐射装置(BSRF)和钴源辐照的X射线剂量增强效应实验结果.通过实验在线测得CMOS4069阈值电压漂移随总剂量的变化,测得28f 256、29c256位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时X光辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.

关键词：CMOS、EEPROM、X射线、剂量增强效应、同步辐射

所属期刊栏目：25

分类号：O434.1(光学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：811-816