横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究

摘要：

采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征.发现横向生长区的GaN(0001)晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差.ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时,还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸.

关键词：GaN、横向外延生长、晶面倾斜、晶粒度、同步辐射X光衍射

所属期刊栏目：25

分类号：O722+.2;O723;TN304.7(X射线晶体学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：770-774