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10.3321/j.issn:0253-3219.2002.09.003

全方位离子注入及增强沉积工业机和应用

引用
报道了等离子体源离子注入(PSII)或等离子体浸没离子注入(PIII)及增强沉积工业机的实验结果及应用.该机真空室直径900mm, 高1050mm, 立式放置, 抽气系统由分子泵及机械泵构成并且实现了PLC控制, 本底真空小于4×10-4Pa.等离子体由热阴极放电或三个高效磁过滤式金属等离子体源产生, 因此可实现全方位离子注入或增强沉积成膜.该机的负高压脉冲最高幅值为80kV, 最大脉冲电流为60A, 重复频率为50-500Hz, 脉冲上升沿小于2μs, 并且可根据需要产生脉冲串.其等离子体密度约为108-1010*cm-3, 膜沉积速率为0.1-0.5nm/s.

全方位离子注入、增强沉积、金属等离子体源、材料表面改性

25

TG174(金属学与热处理)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

684-689

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0253-3219

31-1342/TL

25

2002,25(9)

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