CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析

摘要：

通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化,探讨了引起运放电特性退化的主要原因.结果显示,由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称,在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配,是导致运放电参数发生剧变的根本原因.对CMOS运放电路来说,电路结构的匹配及MOSFET单管I-V特性的优劣,是决定运放抗辐射能力的

关键词：CMOS运算放大器、辐射效应、损伤分析

所属期刊栏目：25

分类号：TN431.1;TN72(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：218-222