用正电子湮没方法研究氦离子等离子体辅助分子束外延InP(InGaAsP)/InP结构

摘要：

用氦离子等离子体辅助分子束外延(PAMBE)方法生长了InP(InGaAsP)/InP结构。结果发现，PAMBE外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特性。用慢正电子湮没方法研究了这一外延层，测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。

关键词：慢正电子湮没、氦离子等离子体、分子束外延

所属期刊栏目：23

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69886001

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：366-370