10.3321/j.issn:0253-3219.2000.03.003
P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用
用两组能量围绕P和In K壳层结合能上下的同步辐射单色X光对InP单晶[100]表面进行辐照.结果表明,无论X光子被P原子K壳层吸收还是被In原子K壳层吸收,InP单晶[100]表面P原子芯能级2P电子态变化明显.P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面辐射损伤增强因子分别为4.4×10-6kg/C和3.1×10-5kg/C.
InP、K壳层X光吸收、损伤增强
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O472.1(半导体物理学)
中国科学院资助项目19575066
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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