硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响

摘要：

用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程.并与离子背散射沟道分析进行了比较.结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解,形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错,同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象.

关键词：H+注入、X射线多晶衍射、背散射沟道分析

所属期刊栏目：23

分类号：TN305.3(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目19775062,69976034

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：145-149