硅藻基As(Ⅴ)离子印迹材料的制备及表征

摘要：

以硅藻为载体,采用“接枝法”在其表面键连N-氨乙基-γ氨丙基三甲氧基硅烷(AAPTS),以As(Ⅴ)为模板,环氧氯丙烷(ECH)为交联剂,探讨了pH、交联剂用量、交联温度、交联时间等条件对制备硅藻基As(Ⅴ)离子印迹材料(IIP)的影响.并通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和红外光谱(FTIR)对IIP制备前后微观形貌、物相组成和官能团的变化进行了分析,探究了IIP对As(Ⅴ)的吸附行为特征.结果表明:制备IIP条件为pH=10,环氧氯丙烷(ECH)的用量为8.2mL,交联温度70℃,交联时间4h,此时As的去除率为96.1％.当pH为5～10时,与非印迹材料相比,IIP对目标离子具有更快的吸附速率.

关键词：硅藻土、离子印迹、As(Ⅴ)、吸附

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资助基金：国家自然科学基金项目41662005,51564008;广西环境污染控制理论与技术重点实验室研究基金001102216078;广西“八桂学者”专项经费资助

在线出版日期：2018-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：64-68,97