拓扑材料γ-PtBi2的变温晶体结构研究

摘要：

利用X射线衍射(XRD)、角分辨光电子能谱(ARPES)和能带计算的方法研究了不同温度下γ-PtBi2的晶体结构.利用单晶XRD确定了室温下晶体的结构为P31m.为了确定低温时样品的晶体结构,用ARPES测得了样品的电子结构并与计算结果进行了对比,结果显示样品的结构与P31m相吻合,这表明在低温时样品依然保持P31m结构.进一步的高温XRD研究表明,在高温时样品的晶体结构仍为P31m结构.

关键词：拓扑、X射线衍射、晶体结构、角分辨光电子能谱

所属期刊栏目：42

分类号：O785+.3(晶体生长)

资助基金：国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家重点研发计划

在线出版日期：2022-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：114-119