10.16568/j.0254-6086.202101009
CFETR内冷屏结构方案初探
基于现有冷屏结构,结合CFETR聚变堆装置的结构特点,提出了一种沿冷却板厚度方向钻冷却通道的深孔结构方案.对内冷屏各部件设计了并联加串联的特殊流道,采用有限元法计算了该方案内冷屏各部件的温度分布.结果表明,采用深孔法冷却方式,冷屏温度分布更均匀,降温效果更好.在输出辐射功率相近的条件下,深孔法的冷却方式可将表面辐射率上限由0.05提高到0.075,能用低表面辐射率和低活化性材料如铬和钨元素作为冷屏表面涂层替代银涂层.
CFETR、冷屏、深孔法、镀银、低活化元素
41
TL62+6(受控热核反应(聚变反应理论及实验装置))
国家重点研发计划2017YFE0300503,2017YFE0300500
2021-03-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
51-55