10.16568/j.0254-6086.202101008
CFETR水冷包层电磁结构耦合分析
利用软件Maxwell对中国聚变工程实验堆(CFETR)高场侧的水冷陶瓷增殖(WCCB)包层进行电磁分析,得到了包层在等离子体电流线性36ms衰减工况下产生的电磁载荷.采用载荷传递耦合法,结合软件ANSYS可得包层中产生的形变位移和等效应力.分析结果表明,WCCB包层中产生的最大等效应力符合设计要求,且形变位移均在许用范围之内,初步验证了包层结构设计的合理性.
中国聚变工程实验堆、水冷陶瓷增殖包层、电磁分析、等离子体主破裂
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TL62+1(受控热核反应(聚变反应理论及实验装置))
国家重点研发计划2017YFE0300500
2021-03-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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