CFETR不同位置充气下的辐射偏滤器模拟研究

摘要：

利用边缘等离子体数值模拟程序SOLPS对氩杂质注入下中国聚变工程试验堆装置辐射偏滤器运行模式进行了模拟研究.在达到相同的总辐射功率(Prad～170MW)时,四种不同充气方案下(从上游充入氘氩混合气体,从外偏滤器充入氘氩混合气体,从内偏滤器充入氘氩混合气体,从上游充入氘气的同时从外偏滤器充入氩气)在外中平面的模拟区域内边界(ρ=0.9)处的有效离子电荷数Zeff分别为2.8、3.1、3.4、2.7.模拟结果与DIII-D及C-MOD的实验结论一致.当从上游充入氘气时,可以增强刮削层中的本底等离子体流,从而得到相对更好的杂质屏蔽效果;同时由于偏滤器靶板再循环杂质源占主导作用,注入氩气的位置对于模拟结果影响不大.

关键词：SOLPS、CFETR、辐射偏滤器、杂质屏蔽

所属期刊栏目：40

分类号：TL62+1(受控热核反应（聚变反应理论及实验装置）)

资助基金：国家重点研发计划2017YFA0402500

在线出版日期：2020-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：336-343