10.16568/j.0254-6086.201803006
HL-2M中性束负离子试验源磁场位形及引出结构模拟分析
采用CST电磁工作室和粒子工作室软件对负离子试验源的会切磁场、过滤磁场、电子偏转磁场的位形及引出束流的光学进行了模拟计算.通过扫描会切磁体、过滤磁体、电子偏转磁体的表面磁场参数,确定了最佳的磁体结构和运行参数:周边6圈会切磁体,会切磁体表面磁场4kG,过滤磁体表面磁场5.5kG,电子偏转磁体表面磁场2.5kG,引出电压5~20kV,加速电压50~160kV,引出负离子束的光学性能满足NBI注入要求.
负离子源、中性束注入、磁场位形、离子束光学、CST软件
38
TL62+4(受控热核反应(聚变反应理论及实验装置))
2018-10-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
281-286