铜导体CFETR氦冷固态包层及屏蔽中子学设计与分析

摘要：

根据铜导体CFETR设计要求,对铜导体CFETR固态包层和屏蔽进行了中子学设计与分析,提出了套管结构的氦冷固态包层设计方案.包层设计和屏蔽分析结果表明,基于套管的氦冷固态包层的氚增殖比(TBR)达到了1.25, 满足铜导体CFTER氚自持设计要求;环向场线圈绝缘层在堆寿期内不会出现显著的辐射感应电导率(RIC)与辐射引起的电气性能退化(RIED)效应.

关键词：铜导体CFETR、氦冷固态包层、中子学、MCNP程序、屏蔽分析

所属期刊栏目：38

分类号：TL62+3(受控热核反应（聚变反应理论及实验装置）)

资助基金：国家磁约束核聚变能发展研究专项2015GB108004

在线出版日期：2021-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：48-54