HL-2M装置周边磁场分布及NBI束线磁屏蔽分析

摘要：

采用电磁场模拟软件CST Studio中的电磁工作室计算了HL-2M装置纵向和极向场线圈在装置周边的磁场时空分布.计算结果表明,在中性束注入器中性化室及离子源引出区域的磁场超过2×10-3T,需要在注入器的中性化和离子源区域采用磁屏蔽结构.利用CST软件模拟计算了基于纯铁材料的NBI注入器离子源及中性化区域的磁屏蔽罩内的磁场分布.

关键词：HL-2M装置、中性束注入器、CSTStudio、磁屏蔽

所属期刊栏目：37

分类号：TL62+9.1(受控热核反应（聚变反应理论及实验装置）)

在线出版日期：2018-01-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：385-391