ITER校正场线圈接头去镍及表面后处理工艺研究

摘要：

分别采用机械打磨去镍加热镀锡工艺和反电镀去镍加电刷镀银工艺制作一对接头，然后对接头进行低温直流测试，测得前者的直流电阻为1.98n?，后者的直流电阻为1.53n?。对比分析可知，反电镀去镍和电镀银工艺更有效、更简单。这些工艺研究对ITER校正场线圈超导接头的制作具有重要指导意义。

关键词：ITER、校正场线圈、超导接头、去镍、电刷镀银、热镀锡

分类号：TH162+1

资助基金：国家自然科学基金资助项目2008GB101000

在线出版日期：2014-03-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：75-79