Compton散射对时变磁化等离子体光子晶体缺陷模的影响

摘要：

应用多光子非线性Compton散射模型和分段电流密度卷积时域有限差分法,将入射光和Compton 散射光作为形成缺陷模的机制,研究了Compton散射对具有单一缺陷模的时变磁化等离子体光子晶体缺陷模的影响.结果表明:与Compton散射前相比,入射光频率低于等离子体频率时,禁带中仍存在明显的缺陷模,其频率随等离子体驰豫时间的增大而缓慢增大；等离子体弛豫时间相等时,等离子体均匀分布的禁带透射系数峰值比Epstein分布时小,两者的缺陷模特征都比较明显,但两者的禁带宽度及缺陷模之间的区别明显减小.

关键词：磁化等离子体光子晶体、禁带、缺陷模、时域有限差分法、Compton散射

所属期刊栏目：32

分类号：O431(光学)

资助基金：河南省基础与前沿技术资助项目0092300410227

在线出版日期：2013-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：307-311