10.3969/j.issn.0254-6086.2012.04.004
Compton散射对时变磁化等离子体光子晶体缺陷模的影响
应用多光子非线性Compton散射模型和分段电流密度卷积时域有限差分法,将入射光和Compton 散射光作为形成缺陷模的机制,研究了Compton散射对具有单一缺陷模的时变磁化等离子体光子晶体缺陷模的影响.结果表明:与Compton散射前相比,入射光频率低于等离子体频率时,禁带中仍存在明显的缺陷模,其频率随等离子体驰豫时间的增大而缓慢增大;等离子体弛豫时间相等时,等离子体均匀分布的禁带透射系数峰值比Epstein分布时小,两者的缺陷模特征都比较明显,但两者的禁带宽度及缺陷模之间的区别明显减小.
磁化等离子体光子晶体、禁带、缺陷模、时域有限差分法、Compton散射
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O431(光学)
河南省基础与前沿技术资助项目0092300410227
2013-01-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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307-311