样品温度对Ar+与SiC样品表面相互影响的分子动力学模拟

摘要：

采用分子动力学模拟方法研究了样品温度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响.由模拟结果可知,SiC样品中Si原子的溅射产额随着温度的升高而增加,而温度对C原子的溅射产额影响不大.在相同温度下,Si原子的溅射产额要高于C原子的溅射产额.溅射出来的Si原子和C原子主要来源于样品的表层区域,样品中的Si和C原子密度、键密度及它们的成键方式也发生了较大的变化.初始样品中Si和C原子的密度是均匀的,而被轰击过后的样品表面Si原子的密度要高于C原子,而样品中部C原子的密度要高于Si原子.初始样品都是Si-C键,成键方式为Si-Csp3;被轰击过后又有Si-Si和C-C键,成键方式也发生了变化,还有Si-Csp1和Si-Csp2.

关键词：分子动力学、SiC、溅射、密度

所属期刊栏目：30

分类号：TL62+7(受控热核反应（聚变反应理论及实验装置）)

资助基金：国际热核聚变实验堆ITER计划专项资助项目2009GB104006;贵州省优秀青年科技人才培养计划资助项目700968101

在线出版日期：2011-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：317-322