10.3969/j.issn.0254-6086.2004.01.014
射频偏置ECR-PECVD等离子体参数测量
利用双探针对ECR-PECVD装置中基片在射频偏置下的等离子体参数进行了测量.同时测量了在射频偏置下微波功率、磁场电流、进气量等参数对ECR-PECVD等离子体参数的影响.结果表明,在ECR-PECVD等离子体装置中,基片射频偏置对电子温度有影响,而等离子体密度主要由微波功率所决定.
ECR-PECVD、射频偏置、双探针、电子温度、等离子体密度
24
O536(等离子体物理学)
国家自然科学基金19835030
2004-04-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
63-66