10.3969/j.issn.0254-6086.2000.01.002
FEB-E脱靶等离子体偏滤器的数值模拟
为了提高FEB-E偏滤器的杂质控制和增加FEB-E偏滤器处离子与中性气体的相互作用,用喷气和杂质注入的方法设计了动态气体靶偏滤器.高约束H模状态下的脱靶等离子体沿删削层(SOL)磁力线有大的辐射功率份额(50%~80%)和大的等离于体压力下降(90%).偏滤器上等离子体压降系数用SOL的两点输运模型和辐射模型估算.结果显示,压降系数不仅与辐射功率份额有关,而且与SOL驻点密度紧密相连.
FEB-E偏滤器、喷气、驻点密度、脱靶等离子体
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O539(等离子体物理学)
国家科技攻关项目863-614-03-02;中国科学院资助项目19685007
2004-01-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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