TiC陶瓷中H原子扩散行为第一性原理计算研究
采用第一性原理计算方法研究了H原子在立方T iC晶格中的结构稳定性及扩散行为.结果表明:H原子在TiC晶格中的最稳定位点位于Ti/C六面体中靠近C原子的C-H(C-HS)位置,H被C原子捕获而形成C—H键,键长1.15? (1?=0.1 nm),零点修正(ZPE)后形成能为1.58 eV;其次是Ti/C六面体中心位置(CS),H原子主要与Ti原子成键,ZPE修正后的形成能为1.75 eV.采用CI-NEB方法计算预测了TiC晶格中H间隙原子的最优扩散路径,即先在Ti/C六面体内沿(110)晶面进行"跳跃"扩散,扩散势垒为0.47 eV;然后以C原子为中心,沿(100)晶面进行两次"旋转"扩散穿越T i/C原子面,扩散势垒为0.28 eV.
TiC、H间隙原子、结构稳定性、扩散行为、第一性原理计算
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O791(晶体物理化学过程)
2021-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
231-237
