68Ge-68Ga发生器吸附剂SnO2的制备
为制备适用于68Ge-68 Ga发生器的吸附剂,用热HNO3氧化金属锡制备SnO2,对SnO2吸附剂的制备工艺及其性能进行了研究.制备得到以SnO2作为吸附剂的68Ge-68 Ga发生器,并对其吸附行为与淋洗效率进行了研究.结果表明,600℃高温焙烧获得的SnO2适于用作68Ge-68 Ga发生器的吸附剂,其对68Ge有较好的选择性吸附,用8 mL l mol/L HCl淋洗,68Ga的淋洗效率为60%~80%,68Ge的漏穿率大部分为10-3%量级.
SnO2、68Ge68 Ga发生器、吸附、淋洗
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TL922
2012-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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