Ag元素掺杂Bi2S3薄膜的制备及其光电性能研究

摘要：

利用连续离子沉积法和水热法在FTO基底上制备了Ag+掺杂Bi2S3薄膜(Ag-Bi2S3),探究了 Ag+浓度对Bi2S3薄膜光电性能的影响.并用扫描电镜、能谱、X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis DRS)等手段对其进行表征.结果表明:Ag-Bi2S3薄膜局部出现由较短的条状晶体聚集形成的花辫带,并有Ag元素的能谱峰,Ag+掺杂进 Bi2S3薄膜;在Ag-Bi2S3的XRD衍射峰中出现AgBiS2相的衍射峰,表明Ag元素在Ag-Bi2S3薄膜中的存在形式为AgBiS2;UV-Vis DRS测试结果显示Bi2S3 薄膜和Ag-Bi2S3薄膜的禁带宽度分别为1.65eV和1.47eV;Ag-Bi2S3薄膜的光电压和光电流分别为0.2013V和0.059mA/cm2,比Bi2S3薄膜的光电压和光电流分别提高了30.6％与 168.1％;Ag-Bi2S3 的载流子浓度4.83×1014cm-3,比Bi2S3的8.17×1012cm-3提升了两个数量级.

关键词：银掺杂、硫化铋、光电性能

所属期刊栏目：50

分类号：TN305.5;TB383.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：100-105