荧光碳化硅纳米薄膜的低温制备及其光学性能研究

摘要：

采用磁控溅射法低温下在硅衬底上制备了荧光碳化硅(SiC)纳米薄膜,研究了不同沉积温度下SiC纳米薄膜的微观结构、成分和光学性能.结果表明:沉积温度25～300℃条件下,SiC纳米薄膜的平均厚度介于3.5～7.7nm之间,硅、碳和氧是薄膜的主要成分.沉积温度为200℃时,SiC纳米薄膜具有最优的光致发光性能,薄膜的发光机理是SiO2的氧缺陷和SiC的本征发光.与沉积温度300℃制备的SiC纳米薄膜样品相比,沉积温度200℃制备的SiC纳米薄膜样品的荧光绝对量子产率增强至12.71倍.磁控溅射法低温制备的SiC纳米薄膜在紫外探测领域具有潜在的应用前景.

关键词：碳化硅纳米薄膜、荧光碳化硅、光致发光、磁控溅射、低温荧光光谱

所属期刊栏目：50

分类号：TB34;TM23(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金;中央高校基本科研业务费专项

在线出版日期：2022-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：86-91