银纳米线薄膜的制备及电磁屏蔽性能研究

摘要：

电磁干扰、电磁辐射对人类生产生活的影响越来越严重,电磁屏蔽材料因而应运而生.目前的电磁屏蔽材料中,金属纳米线具有较高的电导率和可弯折性能,其中银纳米线因具有化学稳定性好、制备成本较低、成膜后易修复、可大批量生产等优势,成为新一代电磁屏蔽材料.以溴化钠和氯化铁为原料制备银纳米线并将其半嵌入到聚氯酯膜形成屏蔽材料.制备的银纳米线@聚氨酯薄膜无需后期热处理,方块电阻达到10Ω/sq,当薄膜厚度达到5μm时,其电磁屏蔽效能超过40dB.与此同时,制备的半嵌入式结构银纳米线@聚氨酯薄膜具有优良的耐弯折性能(弯折500次方块电阻变化率＜0.5,电磁屏蔽效能变化率为3％)和力学稳定性能(粘接200次方块电阻变化率＜0.35).

关键词：电磁辐射、电磁屏蔽、银纳米线、半嵌入式

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分类号：TB383;TQ323.8;TS195.597

资助基金：国家优秀青年学者;上海市科委优秀学术带头人计划;长江学者项目

在线出版日期：2019-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：104-108,113