MoS2基复合结构的合成及半导体器件应用新进展
MoS2是典型过渡金属硫化物之一,其带隙能较窄,在半导体器件等方面具有极大的应用前景.MoS2纳米材料作为理想的低功率半导体电子器件,在纳米集成电子或光子系统中有广泛应用.针对国内外最新研究情况,综述了MoS2纳米复合材料的制备方法及其在半导体器件领域的最新应用研究进展,并探讨其未来发展方向.
MoS2、纳米复合材料、半导体器件
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TH137;TB383;TN304.12
国家自然科学基金;吉林师范大学研究生创新项目
2019-08-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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