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基于神经网络的AZO薄膜制备工艺参数的正交优化设计

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采用磁控溅射法制备AZO薄膜,研究和讨论了溅射功率、溅射时间和溅射气压3个工艺参数对AZO薄膜光学和电学性能的影响.采用正交优化设计,对3个工艺参数进行优化,测量了透射率和电阻率,以此作为薄膜光电性能的评价指标,通过极差值分析确定了制备薄膜的最佳工艺参数.影响薄膜透射率的最主要因素为溅射气压;影响电阻率的最主要因素为溅射时间.获得制备高透射率低电阻率的AZO薄膜的最佳工艺组合方案为溅射功率为400W、溅射时间为1000s、溅射气压为1.0Pa.将反馈型(BP)神经网络应用于磁控溅射AZO薄膜光学性能(可见光区的平均透射率)和电学性能(电阻率)的研究.输入样品数据对神经网络进行训练,建立AZO薄膜光电性能随溅射参数变化的预测模型.

正交设计、掺铝氧化锌、光电学性质、BP神经网络

47

O484.1;TN304.055;TB383

福建省中青年教师教育科研项目JAT170806

2019-08-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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化工新型材料

1006-3536

11-2357/TQ

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