衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响

摘要：

以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO(TZO)透明导电薄膜,探究了衬底温度对薄膜光电性能的影响.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪对薄膜微观形貌、结构及光电性能进行了表征和分析.结果表明:制备的TZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,衬底温度为350℃时TZO薄膜结晶质量最好,电阻率最小,为2.78×10-3Ω·cm,品质因子最高,达到334.1S/cm.所有薄膜样品在波长380～780nm区间平均透过率大于91％,随着衬底温度的升高,TZO薄膜的吸收边出现了蓝移.

关键词：TZO薄膜、共溅射、衬底温度、光电性能

所属期刊栏目：47

分类号：TB34;TN304.21;O484.1

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;湖北省自然科学基金重点项目

在线出版日期：2019-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：108-111