硼掺杂金刚石薄膜电极的制备及电化学行为研究

摘要：

硼掺杂金刚石薄膜(BDD)电极具有良好的电化学性能,是一种理想的电极材料.采用扫描电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱对制得的BDD电极的结构进行了表征.电极表面薄膜生长致密,晶体生长取向以(111)晶面为主,生长速率为2.8μm/h,晶格常数为3.5738A.利用循环伏安法(CV)研究了BDD电极在铁氰化钾/亚铁氰化钾体系中氧化还原反应的可逆性和动力学特征.研究结果表明,在铁氰化钾/亚铁氰化钾的浓度为20mmol/L条件下,BDD电极的氧化还原峰电势差达到205.75mV,在溶液中电极的氧化还原反应属于准可逆反应,氧化峰电流与反应物浓度成正比,电极过程动力学是受扩散控制为主.

关键词：硼掺杂金刚石、循环伏安、铁氰化钾/亚铁氰化钾、电化学、氧化还原反应

所属期刊栏目：46

分类号：O646.54;X703.1;TB383

资助基金：国家自然科学基金;哈尔滨商业大学青年创新人才支持项目;哈尔滨商业大学大学生创新创业训练计划

在线出版日期：2018-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：158-161