原位合成法制备Ni/Fe共掺杂g-C3N4及其光催化性能研究
以三聚氰胺、硝酸铁和硝酸镍为原料, 采用一锅法原位制备了一系列Ni和Fe共掺杂的g-C3N4 (Ni/FeC3N4) 材料.采用X射线粉末衍射和扫描电子显微镜表征了材料的形貌与结构, 采用X射线光电子能谱分析了掺杂离子的化学状态, 采用紫外-可见漫反射光谱和光致发光光谱进一步分析了Ni/Fe-C3N4的半导体性质.结果表明:所制备的复合材料与纯g-C3N4相比具有大的比表面积, Ni/Fe掺杂降低了g-C3N4的带隙宽度, 抑制了光生电子-空穴对的复合, 有效提高了其对甲基橙的光催化降解效率.
光催化、类石墨相氮化碳、铁镍共掺杂
46
TB383;O643.36;TQ426.6
国家自然科学基金51072075
2018-10-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
56-59,63