热蒸发工艺中碳源微观结构对SiC晶须生长的影响

摘要：

通过高温热蒸发硅粉工艺,以鳞片石墨、膨胀鳞片石墨、纳米炭黑和微米炭黑为碳源制备SiC晶须,研究了碳源结构对SiC晶须生长的影响.采用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜等手段对不同碳源和制得样品的微观形貌和结构进行表征.结果表明:SiC晶须更容易在膨胀鳞片石墨和纳米炭黑表面生长,碳源具有乱层堆垛石墨结构和合适的晶粒尺寸是SiC晶须生长的决定性因素.

关键词：SiC晶须、碳源结构、乱层堆垛石墨、晶粒尺寸

所属期刊栏目：46

分类号：TQ114.26;TB383;TG149

资助基金：国家自然科学基金51372177

在线出版日期：2018-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：197-200