基底对CoS电极材料电化学性能的影响研究

摘要：

以六水合氯化钴(CoCl2·6H2O)为钴源、硫脲[CS(NH2)2]为硫源,采用电化学沉积法分别在泡沫镍(NF)和三维石墨烯(3DGE)/泡沫镍(3DGE/NF)两种基底上制备三维硫化钴/石墨烯/泡沫镍(3DCoS/GE/NF)和硫化钴(CoS)/泡沫镍(CoS/NF)电极.通过考察NF与3DGE/NF两种基底对电极电化学性能的影响,可知3DGE/NF基底由于具有高品质、高导电性的石墨烯,促进了电极与电解液的电荷传输,能够有效提高电极材料的比容量和循环倍率性能.在1A/g电流密度下,3DCoS/GE/NF比容量达到2320F/g,高于CoS/NF电极的比容量(1269F/g),即使在20A/g时,3DCoS/GE/NF电极比容量仍有1638F/g,且在10A/g大电流密度下经过500次循环后,3DCoS/GE/NF的比容量保持率为73.44％,远远高于CoS/NF的比容量保持率(44.69％).

关键词：硫化钴、泡沫镍、三维石墨烯、超级电容器

所属期刊栏目：46

分类号：TM912.9;O646.541;TB383

资助基金：国家自然科学基金21364004

在线出版日期：2018-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：122-125