石墨烯上吸附Al的电子结构性能研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

石墨烯上吸附Al的电子结构性能研究

引用
采用基于密度泛函理论的CASTEP程序包研究了A1吸附于石墨烯表面改善石墨烯的电子性能.结果表明:双原子吸附比单原子吸附能量更低,吸附更为容易.同时吸附结构不同会导致磁矩的产生,单原子以及间位吸附没有磁矩,对位和邻位分别产生了-0.62和1.38μB磁矩.差分电荷密度图结果显示:双原子Al吸附于石墨烯时向石墨烯层转移的电子较多,并且吸附时诱导的差分电荷分布均比较局域,主要集中在Al原子附近的第一近邻C原子表面.

Al原子吸附石墨烯、第一性原理、电子结构

45

国家科技部国际科技合作项目2014DFA50320;国家自然科学基金51574207、51574206、51204147和51274175;山西省国际科技合作项目2013081017和2012081013

2018-03-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

152-154,159

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

化工新型材料

1006-3536

11-2357/TQ

45

2017,45(12)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn