N2气氛下SnO2的烧制及其光催化性能研究

摘要：

扩展稳定宽带隙半导体吸收带边是提高其光能利用率的有效方法之一.采用溶胶-凝胶法,在空气和N2中分别制得SnO2和SnO2(N2)光催化剂.X射线衍射和BET结果表明SnO2和SnO2 (N2)的晶型和比表面积基本相同.紫外-可见漫反射分析结果表明SnO2和SnO2(N2)试样的吸收带边分别为352和388nm,SnO2(N2)试样的吸收带边有明显的红移,且光催化降解亚甲基蓝的活性较高.N2条件下对SnO2带隙进行调控,相比于普遍采用的H2,该方法更安全,这为后续宽带隙半导体表面氧空位浓度的调变提供了实验基础.

关键词：SnO2、光催化、溶胶-凝胶法

所属期刊栏目：44

分类号：O643.36;TB383;TQ426.6

资助基金：国家科技支撑计划;江苏省新型环保重点实验室;江苏省生态建材与环保装备协同创新中心联合基金

在线出版日期：2017-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：180-182