钴离子表面印迹聚合物的制备及其吸附性能研究
以钴离子为模板离子,硅胶为基底,(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷为功能单体,环氧氯丙烷为交联剂,采用表面印迹技术制备并表征了钴离子印迹聚合物[Co(Ⅱ)-ⅡP],研究了其对钴离子的吸附性能.结果表明,在25℃、pH=5~6时平衡吸附时间为1h,最大吸附量为20.05mg/g.Co(Ⅱ)-ⅡP对Co(Ⅱ)/Cd(Ⅱ)、Co(Ⅱ)/Pb(Ⅱ)、Co(Ⅱ)/Cu(Ⅱ)、Co(Ⅱ)/Ni(Ⅱ)吸附选择性系数分别为2.52、1.34、3.61、4.39.经5次吸附-解吸循环后,Co(Ⅱ)-ⅡP对钴离子的吸附效果并没有明显下降,表明该材料具有一定的循环利用性能.
离子印迹聚合物、表面印迹技术、钴离子、吸附性能
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O647.33;X703.1;X131.2
国家自然科学基金21266027
2017-01-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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