近紫外光激发BaSr2Si3O9∶Eu3+的合成及性能研究

摘要：

采用高温固相法制备近紫外光激发的BaSr2Si3O9∶Eu3+发光材料,研究了Eu3+不同掺杂量对样品晶体结构、发光特性的影响规律.用X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)、紫外-可见光谱分析系统对样品进行了表征和封装评价.结果表明,随着Eu3-的掺入,BaSr2Si3 O9晶体结构并没有发生变化;激发主峰为395nm,发射主峰为611nm,随着Eu3+掺杂量的增加,样品发光强度先升高后降低,在掺杂量为6％(摩尔分数)时发射强度最大;结合396nm近紫外芯片和BAM双峰蓝色荧光材料进行封装测试,所制备白光LED显色指数为88,色温5953K,因此,BaSr2Si3O9∶Eu3-是一种很有应用前景的近紫外激发发光材料.

关键词：BaSr2Si3O9∶Eu3+、高温固相法、近紫外芯片、发光材料

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分类号：O641.4;TN312.8;TN104.3

资助基金：山西省自然科学基金2014011016-9

在线出版日期：2016-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：61-62,65