低温制备针对KDP晶体的防潮双层宽带增透膜
在惯性约束聚变(ICF)装置中,大量使用有变频特性的水溶性磷酸二氢钾(KDP)类晶体材料,但KDP晶体需要有效的保护膜防止其潮解.由于KDP晶体元件晶相转变温度低,对湿度比较敏感,在很大的程度上限制了膜层制备和后处理工艺.以甲基三乙氧基硅烷(MTES)为原料,采用溶胶-凝胶技术和提拉方式制作防潮膜,仅仅以100℃以下温度进行热处理,再以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,在镀有热处理后的防潮膜的基底上采用上述工艺镀制光学减反膜.对组合薄膜的防潮、光学性能、结构等进行了测试表征.结果显示防潮性能佳,而且在特定波长532nm有高达99.76%的透过率.薄膜中存在大量的甲基(-CH3),是性能优良的且能在较低的温度下进行制备的防潮增透膜,可用于三倍频晶体KDP的增透与保护.
防潮、增透、MTES-TEOS双层膜、KDP晶体、溶胶-凝胶法
43
O484.4;TN204;TH706
国家自然科学基金;中国工程物理研究院联合基金
2015-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
37-39