铟掺杂纳米SnO2的合成及气敏性能研究

摘要：

采用一步水热法制备出了掺杂铟和未掺杂的球花状SnO2纳米结构.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线粉末衍射(XRD)等手段对所得样品的形貌及晶体结构进行了表征,结果表明制得的SnO2纳米结构由厚度约30nm的纳米片组成,晶型为四方金红石型.以掺杂铟和未掺杂的SnO2样品制作了旁热式气敏元件,用于测试样品对乙醇气体的气敏性能.测试结果显示铟的掺入提高了SnO2样品的灵敏度,同时降低了气敏元件的最佳工作温度.最后,提出了铟掺杂提升SnO2纳米材料的气敏性能的可能机制.

关键词：词SnO2、纳米结构、掺杂、气敏元件、水热法

所属期刊栏目：43

分类号：TB383;O614.432;TN304.21

资助基金：国家自然科学基金;教育部留学回国人员科研启动基金

在线出版日期：2015-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：28-30