石英生长坩埚镀碳工艺研究

摘要：

研究了在AgGaS2晶体生长石英坩埚内壁镀碳的工艺,包含了镀碳温度、镀碳时间及冷去时间对碳膜质量的影响,从而获得了最佳镀碳工艺,即采用高纯甲烷在1040℃的高温下,热解60min,并冷却12h.采用该工艺镀碳的石英坩埚解决了AgGaS2晶体在高温下与石英坩埚的粘连问题,防止了坩埚杂质向晶体中的扩散,生长出表面光滑,完整性好,大尺寸的AgGaS2晶体.

关键词：镀碳工艺、生长坩埚、AgGaS2晶体

所属期刊栏目：42

资助基金：中国民用航空飞行学院青年基金A09066

在线出版日期：2015-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：39-41