一种新型高比电容多孔氧化镍纳米片的制备
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

一种新型高比电容多孔氧化镍纳米片的制备

引用
通过简单的两步方法合成了一种新型结构的多孔氧化镍(NiO)纳米片,分别利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨/投射电子显微镜(HR/TEM)对其晶体结构、形貌进行了表征,结果发现制备的NiO纳米片尺寸大约500nm,孔径大约30nm.此外,还对多孔NiO纳米片进行了电容性能测试,结果显示其比电容达到了326 F/g,表明该多孔NiO纳米片具有较高的电容性能和潜在的应用价值.

多孔、氧化镍、纳米片、比电容

42

安徽省高等学校省级教学质量与教学改革工程项目

2015-06-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

55-57

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

化工新型材料

1006-3536

11-2357/TQ

42

2014,42(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn