10.3969/j.issn.1006-3536.2013.02.026
C/SnO2纳米管芯复合结构的原位生长及生长机理
采用化学气相沉积(CVD)方法在经表面活性剂处理过的Si(100)衬底上原位合成了C/SnO2纳米复合结构.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)等分析仪器分别对所制备样品的形貌、成分及微结构进行表征.研究发现:制备产物为非晶态碳纳米管复合物.该碳纳米管复合物呈现出管芯复合结构,成分为碳纳米管包覆的结晶良好的SnO2纳米线,且其生长方向沿(200)晶面.并在此基础上分析讨论了其生长机理,推测这种C/SnO2纳米管芯复合结构的生长是同步进行的,同时表面活性剂的碳化对形成碳纳米管有着重要作用.
C/SnO管芯复合结构、原位生长、生长机理
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TB3;TV3
重庆市教委项目基金kj121317
2013-04-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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