ATO/CaSO4复合导电粉制备的研究

摘要：

复合导电粉具有良好的导电性、稳定性和分散性,广泛用于防静电、电磁屏蔽等诸多领域.采用共沉淀法在硫酸钙晶须表面包覆一层ATO来制备ATO/CaSO4复合导电粉,并研究制备条件对导电粉电阻率的影响.结果表明,最佳制备条件为:Sb/Sn摩尔比1∶10,硫酸钙晶须浓度7.5％,水解温度35℃,水解pH6,煅烧温度650℃,煅烧时间2h.

关键词：共沉淀、硫酸钙晶须、锑掺氧化锡、包覆

所属期刊栏目：40

分类号：TQ6;TN1

在线出版日期：2013-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：99-101