ZnO薄膜的本征缺陷、p型掺杂及其新型功能器件

摘要：

ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60 meV),室温下激子仍然存在.由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等高技术领域有着广阔的应用前景,在国内外引起极大的关注.但本征的ZnO呈n型电导,p型ZnO的获得因较强的自补偿效应,存在较大困难,限制了其应用水平.针对ZnO目前的研究、就其本征缺陷、p型掺杂以及新型功能器件等方面做一简要评述.

关键词：ZnO、本征缺陷、p型电导、功能器件

所属期刊栏目：40

分类号：TN3;O47

资助基金：上海市自然科学基金11ZR1426700;国家自然科学基金10904042;教育部科学技术重点项目210157广东省自然科学基金S2011010001758;广东省科技计划项目2011B010400022;广州市科技计划项目11C52090779

在线出版日期：2012-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：149-152