SnO2/还原氧化石墨烯/聚吡咯三元复合物的合成及其电化学电容性能

摘要：

采用两步法制备出均匀分散的SnO2/还原氧化石墨烯(SnO2/RGO)二元复合物,再以二元复合物为模板,通过化学氧化法聚合吡咯(Py)单体,制备出SnO2/还原氧化石墨烯/聚吡咯(SnO2/RGO/PPy)三元复合材料.利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对复合材料结构和形貌进行物性表征,利用循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗对复合材料进行电化学性能研究,并讨论了不同含量的PPy对复合材料的结构和性能的影响.结果表明,所合成的三元复合材料的比电容随PPy含量的增加而增大,最大达到305.3F/g.三元复合物电容性能增强源于SnO2、RGO与PPy三者的相互协同作用,以及材料层状结构和大的比表面积.

关键词：SnO2/还原氧化石墨烯/聚吡咯、三元复合材料、电化学电容

所属期刊栏目：40

分类号：TB3;TM2

资助基金：国家自然科学基金20963009和21163017;甘肃省自然科学基金资助项目0803RJA005

在线出版日期：2012-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：138-141