Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜的磁控溅射制备及电学性能

摘要：

采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜.X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰；傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰；扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量.同时,对所得薄膜材料的电流—电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻；ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体；Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10～10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通.

关键词：射频磁控溅射、Ge/SiO2薄膜、Ge/ZnO/SiO2薄膜、电流-电压性能

所属期刊栏目：40

分类号：O48;TN3

资助基金：江苏省自然科学基金BK2009379;国家大学生创新性实验计划项目20101028727;南京航空航天大学基本科研业务费专项科研项目1006-56Y1064;南京航空航天大学引进人才基金1006-909308

在线出版日期：2012-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：103-105